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HSCB10P02 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSCB10P02 product

HSCB10P02

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET20V10A

Der HSCB10P02 ist ein 20V P-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die >20V oder >10A Dauerstrom erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für das kleine DFN-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-10 A
RDS(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSCB10P02 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit hoher Zelldichte und Trench-Technologie, der für schnelles Schalten in Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.