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HSCB1214 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSCB1214 product

HSCB1214

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET12VAbwärtswandler

Der HSCB1214 ist ein 12V P-Kanal-MOSFET im kompakten DFN2*2-6L-Gehäuse, optimiert für effiziente synchrone Abwärtswandler.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 12V VDS

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung des DFN2*2-6L-Gehäuses

Wichtige Specs

VDS
-12 V
ID
-14 A
RDS(on)
13,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

6790151e4ffd1d3ab57be1e1beb53ad8_2407111422_HUASHUO-HSCB1214_C28314514.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSCB1214 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte für schnelles Schalten in Stromversorgungsanwendungen.