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HSCB1216 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSCB1216 product

HSCB1216

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET12VDFN2*2-6L

Der HSCB1216 ist ein 12V P-Kanal-MOSFET im DFN2*2-6L-Gehäuse, ideal für synchrone Abwärtswandler mit niedrigem RDS(ON).

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 12V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-12 V
ID
-16 A
RDS(ON)
13 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

c9ab43872bcc7ce8a0dc3664df3cab27_2010160905_HUASHUO-HSCB1216_C845601.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSCB1216 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSCB1216 ist ein P-Kanal-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für effizientes Schalten in synchronen Abwärtswandlern entwickelt wurde.