HSCB2307 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUASHUO | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HSCB2307 product

Der HSCB2307 ist ein 20V, 8A P-Kanal-MOSFET im kompakten DFN2*2-6L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler.

Ideal für

Synchrone Abwärtswandler
Tragbares Energiemanagement

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die mehr als 20V VDS erfordern
Hochtemperaturumgebungen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: -20 V
ID: -8 A
RDS(ON): 15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

d52227a89916ee0f0162cad7a1583b27_2010160905_HUASHUO-HSCB2307_C845602.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSCB2307 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSCB2307 ist ein P-Kanal-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten in Energieverwaltungsanwendungen entwickelt wurde.