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HSCE2530 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSCE2530 product

HSCE2530

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20V50A

Der HSCE2530 ist ein leistungsstarker 20V N-Kanal-MOSFET, der für synchrone Abwärtswandler optimiert ist und einen niedrigen RDS(ON) sowie effizientes Schaltverhalten bietet.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Energiemanagement-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit VDS > 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
50 A
RDS(ON)
2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

a307dd3c02fcde21a651c1d4d35123bd_2007171935_HUASHUO-HSCE2530_C701041.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSCE2530 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSCE2530 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für hocheffiziente Stromwandler, insbesondere synchrone Abwärtswandler, entwickelt wurde.