HSD60N10 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Shenzhen HUAKE Semiconductor Co., Ltd. | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HSD60N10 product

Der HSD60N10 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET, der für Hochfrequenz-Schaltnetzteile optimiert ist.

Ideal für

Hochfrequenz-Schaltnetzteile
Aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder ultrakleine Bauformen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

Vdss: 100 V
Id: 60 A
Rds(on): 8,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Netzteil

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSD60N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 60A ausgelegt ist.