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HSH100P06 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSH100P06 product

HSH100P06

MOSFETs - Single

P-Kanal60V100ATO-263MOSFET

Der HSH100P06 ist ein leistungsstarker 60V P-Kanal-MOSFET im TO-263-Gehäuse, der für Hochstrom-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Hochstrom-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Strombedarf, bei denen kleinere Gehäuse erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an das Wärmemanagement
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-100 A
RDS(ON)
7,0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

81e0ba9282bf2393412517cd0ec95cae_2309251427_HUASHUO-HSH100P06_C7543771.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSH100P06 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen wie synchrone Abwärtswandler entwickelt wurde.