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HSH18N20 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSH18N20 product

HSH18N20

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET200VTrench

Der HSH18N20 ist ein 200V N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandleranwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Synchron-Abwärtswandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) unter 100mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für Hochstrombetrieb

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
18 A
RDS(on)
170 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSH18N20 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen leistungsstarken Trench-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 200V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 18A.