ProjektePreiseInsights

HSH200N02 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSH200N02 product

HSH200N02

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET200VTrench

Der HSH200N02 ist ein leistungsstarker 200V N-Kanal-Trench-MOSFET für Schaltnetzteile und synchrone Abwärtswandler mit 70A Strombelastbarkeit.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Leistungsschaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr geringem Platzbedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

Vds
200 V
Id
70 A
Rds(on)
27 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungSynchrone Abwärtswandler

Datenblatt

1195a1b3ba6ff89bbb5444052b40d9c8_2303071100_HUASHUO-HSH200N02_C845626.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSH200N02 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 200V N-Kanal-MOSFET in Trench-Technologie, optimiert für effiziente Schaltanwendungen.