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HSH3119 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSH3119 product

HSH3119

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30V150A

Der HSH3119 ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET für Hochstrom-Schaltanwendungen, insbesondere in synchronen Abwärtswandlern.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Hochstrom-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit niedriger Gate-Ansteuerspannung (unter -4,5V)
  • Platzkritische Designs, bei denen das TO-263-Gehäuse zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Strombelastbarkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-150 A
RDS(on)
2,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

2b31d083d57bd25b4d65638a656142c7_2403131652_HUASHUO-HSH3119_C22359318.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSH3119 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSH3119 ist ein P-Kanal-30V-MOSFET mit Trench-Technologie, der für einen kontinuierlichen Drainstrom von bis zu 150A ausgelegt ist.