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HSH6117 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSH6117 product

HSH6117

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VTO-263

Der HSH6117 ist ein leistungsstarker P-Kanal 60V MOSFET, der für synchrone Abwärtswandler optimiert ist und einen niedrigen RDS(ON) sowie schnelles Schaltverhalten bietet.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Leistungsschaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs, bei denen TO-263 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-80 A
RDS(ON)
14 mΩ
Gehäuse
TO-263

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

71d8d45b92aed5877b95525426b3a5fc_2303071100_HUASHUO-HSH6117_C5341709.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSH6117 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSH6117 ist ein P-Kanal 60V MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für effiziente Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde.