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HSH8119 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSH8119 product

HSH8119

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET80VTO-263

Der HSH8119 ist ein leistungsstarker 80V P-Kanal-MOSFET im TO-263-Gehäuse, der für Hochstrom-Leistungswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Hochstrom-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Strombedarf, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-80 V
ID
-90 A
RDS(ON)
13,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

3fb9bd18f32e8203fb38ef6444be7c76_2403131651_HUASHUO-HSH8119_C22359320.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSH8119 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSH8119 ist ein P-Kanal-Trench-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen, insbesondere in synchronen Abwärtswandlern, entwickelt wurde.