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HSK02N20 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSK02N20 product

HSK02N20

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET200VSOT-89

Der HSK02N20 ist ein 200V N-Kanal-MOSFET im SOT-89-Gehäuse, der für kleine Schaltanwendungen und Lastschalter optimiert ist.

Ideal für

  • Kleine Schaltanwendungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 2A Strom
  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen thermischen Widerstand erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
2 A
RDS(on)
0,6 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsschaltung

Datenblatt

f8fdba1fe1d93a8c71f0fc5b645ceaac_2403131653_HUASHUO-HSK02N20_C22359222.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSK02N20 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten und hohe Effizienz in kleinen Leistungsanwendungen entwickelt wurde.