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HSK10N06 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSK10N06 product

HSK10N06

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSOT-89

Der HSK10N06 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im SOT-89-Gehäuse, der für Power-Management- und synchrone Abwärtswandler-Schaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Ströme oder andere Gehäuseformen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kompatibilität der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
10 A
RDS(ON)
40 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

abc549c91618cb372d632a16b9614114_2208111730_HUASHUO-HSK10N06_C5128195.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSK10N06 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Graben-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten und hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde.