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HSK4N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSK4N10 product

HSK4N10

MOSFETs - Single

N-Kanal100VMOSFET

Der HSK4N10 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im SOT-89-Gehäuse, der für synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Ströme oder andere Gehäuseformen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kompatibilität der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
4 A
RDS(ON)
150 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSK4N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für 100V und 4A ausgelegt ist und im SOT-89-Gehäuse geliefert wird.