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HSL10N06 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSL10N06 product

HSL10N06

MOSFETs - Single

N-Kanal60VMOSFETSOT-223

Der HSL10N06 ist ein 60V, 10A N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT-223-Gehäuse, optimiert für synchrone Abwärtswandler.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) unter 10mΩ erfordern
  • Hochleistungsdesigns mit mehr als 31W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
10 A
RDS(on)
36 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAbwärtswandler

Datenblatt

f97cb1ec85b65c1b17277971f1c43aed_2208111730_HUASHUO-HSL10N06_C5128191.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSL10N06 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSL10N06 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten und effiziente Stromwandlung entwickelt wurde.