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HSM20N02 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSM20N02 product

HSM20N02

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOP-8Energiemanagement

Der HSM20N02 ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für hocheffizientes Energiemanagement und Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Batterieschutzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungen deutlich über 20V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
20 A
RDS(ON)
2,9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSM20N02 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSM20N02 ist ein N-Kanal-Graben-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten in Energiemanagement- und synchronen Abwärtswandleranwendungen entwickelt wurde.