HSP120N08 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUASHUO | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HSP120N08 product

Der HSP120N08 ist ein leistungsstarker 80V N-Kanal SGT-MOSFET im TO-220-Gehäuse, optimiert für Hochstromanwendungen wie Motorsteuerungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

Synchrongleichrichtung
Motorsteuerung
DC/DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: 80 V
ID: 120 A
RDS(on): 4.7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungMotorantriebe

Datenblatt

fa2f13bdf2726f27b545004af78a469a_2010231935_HUASHUO-HSP120N08_C845616.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSP120N08 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 80V, 120A N-Kanal-MOSFET mit SGT-Technologie (Shielded Gate Trench) im Standard-TO-220-Gehäuse.