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HSP200N02 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSP200N02 product

HSP200N02

MOSFETs - Single

N-Kanal200VMOSFETTO-220

Der HSP200N02 ist ein 200V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen wie synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-220 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
70 A
RDS(on)
27 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungSynchrone Abwärtswandler

Datenblatt

5b7080a92274a753bc60d7a08f16bf25_2009041236_HUASHUO-HSP200N02_C701023.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSP200N02 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Drain-Source-Spannung von 200V, einen kontinuierlichen Drain-Strom von 70A, einen typischen Einschaltwiderstand von 27mΩ und eine Gesamtverlustleistung von 200W.