HSP80N20 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUASHUO | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HSP80N20 product

Der HSP80N20 ist ein 200V, 80A N-Kanal SGT-MOSFET im TO-220-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltnetzteile und synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

Synchrone Abwärtswandler
Leistungsschaltkreise

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeabfuhr-Anforderungen
Leistungsfähigkeit der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS: 200 V
ID: 80 A
RDS(on): 24 mΩ
Qg: 115 nC

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

LeistungsschaltungSynchrone Abwärtswandler

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSP80N20 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSP80N20 ist ein leistungsstarker N-Kanal SGT-MOSFET, der für schnelles Schalten und Anwendungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt wurde.