ProjektePreiseInsights

HSS1N20 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSS1N20 product

HSS1N20

MOSFETs - Single

N-Kanal200VMOSFETSOT-23L

Der HSS1N20 ist ein 200V N-Kanal-MOSFET im SOT-23L-Gehäuse, der für kleine Schaltanwendungen und Lastschalter optimiert ist.

Ideal für

  • Kleine Schaltanwendungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 1A Strom
  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(ON) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
1 A
RDS(ON) Max
1.9 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungLastschalter

Datenblatt

25107c8ac5e768b32057962af6cb1590_2010231935_HUASHUO-HSS1N20_C845589.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSS1N20 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSS1N20 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für effizientes Schalten kleiner Leistungen und Lastschalteranwendungen entwickelt wurde.