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HSS2012 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSS2012 product

HSS2012

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20V

Der HSS2012 ist ein 20V N-Kanal-MOSFET, der für schnelles Schalten und Lastmanagement in kompakten Stromkreisen optimiert ist.

Ideal für

  • Kleine Leistungsschaltungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen im SOT-23L-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6,8 A
RDS(ON)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

0536e1208030fbfb55ba019f3de55876_2007171935_HUASHUO-HSS2012_C700952.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSS2012 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSS2012 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für effizientes Schalten entwickelt wurde.