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HSS3415E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSS3415E product

HSS3415E

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET20VSOT-23L

Der HSS3415E ist ein P-Kanal-MOSFET mit 20V, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Energieverwaltungsschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 20V VDS erfordern
  • Hochleistungsdesigns, die die thermischen Grenzen des SOT-23L-Gehäuses überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-4,3 A
RDS(on)
45 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

996538c251a5ec80d8610d41330380bf_2005121032_HUASHUO-HSS3415E_C518775.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSS3415E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Graben-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten in Energieverwaltungsanwendungen entwickelt wurde.