ProjektePreiseInsights

HSS5N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSS5N10 product

HSS5N10

MOSFETs - Single

N-Kanal100VMOSFET

Der HSS5N10 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im SOT-23L-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen wie synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit kontinuierlichem Strom über 5A
  • Hochleistungsdesigns über 1,4W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Anforderungen

Wichtige Specs

Vds
100 V
Id
5 A
Rds(on)
100 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

a21453153df0abbfcaa057bc9f137e22_2403131653_HUASHUO-HSS5N10_C22359217.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSS5N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSS5N10 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten und synchrone Abwärtswandler entwickelt wurde.