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HSSK2N7002 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSSK2N7002 product

HSSK2N7002

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalN-Kanal60V

Der HSSK2N7002 ist ein dualer N-Kanal-60V-MOSFET im SOT-363-Gehäuse, der für das Schalten kleiner Lasten und Pegelverschiebungen in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Low-Side-Lastschalter
  • Pegelwandlung
  • DC-DC-Wandler in tragbaren Geräten

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungsschaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen bei hochdichten Layouts

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
300 mA
RDS(on)
2,3 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare ElektronikDC-DC-Wandler

Datenblatt

a86ac6af30eb3f210c2043d853aeb9b0_2309251426_HUASHUO-HSSK2N7002_C7543684.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSSK2N7002 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSSK2N7002 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET von Huashuo Semiconductor mit einer Drain-Source-Spannung von 60V und einem Dauerstrom von 300mA, untergebracht in einem SOT-363-Gehäuse.