HST502 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Shenzhen HUAKE Semiconductor Co., Ltd. | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HST502 product

Der HST502 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET, der für anspruchsvolle Anwendungen wie Schaltnetzteile und PFC-Schaltungen optimiert ist.

Ideal für

Hochfrequenz-Schaltnetzteile
Aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Vermeiden, wenn

Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern
Niederspannungs-Logiksteuerung ohne Gate-Treiber

Vor der Verwendung prüfen

Wärmewiderstand (RθJC = 0,73°C/W)
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss: 100 V
Id: 120 A
RDS(on): 4,9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HST502 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HST502 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 100V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 120A.