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HSU12P10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSU12P10 product

HSU12P10

MOSFETs - Single

MOSFETP-Kanal100VTO-252

Der HSU12P10 ist ein 100V P-Kanal-Trench-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für schnelles Schalten und effizientes Energiemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Allgemeines Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem platzkritische Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-12 A
RDS(ON)
270 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

40b20970d417d80a8ac57cfa3ac68af1_2301040930_HUASHUO-HSU12P10_C5341701.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSU12P10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal 100V Leistungs-MOSFET mit fortschrittlicher Trench-Technologie.