ProjektePreiseInsights

HSU90N02 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSU90N02 product

HSU90N02

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20VTO252

Der HSU90N02 ist ein 20V, 90A N-Kanal-MOSFET im TO252-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromwandler und Batterieschutzanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Batteriemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit VDS > 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteueranforderungen

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
90 A
RDS(ON)
2,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

118ee2c1acad75b0aacdcc771c0ff8a6_2010191104_HUASHUO-HSU90N02_C845613.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSU90N02 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSU90N02 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand ausgelegt ist.