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HSU90N03 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSU90N03 product

HSU90N03

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VTO-252

Der HSU90N03 ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Hochstrom-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
90 A
RDS(ON)
2,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

440d82dae107b49e5d38867ca3ff19f9_2009041209_HUASHUO-HSU90N03_C701000.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSU90N03 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand ausgelegt ist.