Der HSW6800 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schaltverhalten ausgelegt ist.
HSW6800 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
HSW6800
MOSFETs - Arrays
Wichtige Specs
- VDS
- 30 V
- ID
- 4 A
- RDS(ON)
- 45 mΩ
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Compliant
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
Energieverwaltung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für HSW6800 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.