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HSW8810 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSW8810 product

HSW8810

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalBatterieschutz

Der HSW8810 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET für Batterieschutz und Leistungsschaltung, der sich durch niedrigen RDS(ON) und integrierten ESD-Schutz im kompakten SOT23-6L-Gehäuse auszeichnet.

Ideal für

  • Lithium-Ionen-Batterieschutz
  • Kompakte Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20 V
  • Hochleistungsdesigns mit mehr als 1,25 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6 A
RDS(ON)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

60c70952d58c48e51b7af68c6d0e774d_2010160905_HUASHUO-HSW8810_C845594.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSW8810 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSW8810 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET von Huashuo, der speziell für Anwendungen mit hoher Dichte wie Lithium-Ionen-Akkupacks entwickelt wurde und einen robusten ESD-Schutz bietet.