HSX80N20 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUASHUO | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HSX80N20 product

Der HSX80N20 ist ein 200V, 80A N-Kanal SGT-MOSFET im TO-247-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen und synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

Synchrone Abwärtswandler
Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz, bei denen das TO-247-Gehäuse zu groß ist.

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Anforderungen und Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDS: 200 V
ID: 80 A
RDS(on): 20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Leistungsschaltung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSX80N20 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSX80N20 ist ein leistungsstarker N-Kanal SGT-MOSFET für schnelle Schaltanwendungen mit niedrigem RDS(on) und hoher Zelldichte.