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HUF75652G3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HUF75652G3 product

HUF75652G3

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistung

Der HUF75652G3 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET für anspruchsvolle Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochstromschaltungen
  • Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Platzangebot oder niedriger Leistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDSS
100 V
ID
75 A
RDS(on)
8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungselektronik

Datenblatt

Fairchild-Semiconductor-company-11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HUF75652G3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Ultrafet-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100V.