ProjektePreiseInsights

HUF76609D3S-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HUF76609D3S-HXY product

HUF76609D3S-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VDPAK

Der HUF76609D3S-HXY ist ein 100V N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedrigen RDS(ON)-Anforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung und Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
15 A
RDS(ON)
112 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

d4acd338dd3c5cb078ab89d1d9125198_2404231719_HXY-MOSFET-HUF76609D3S-HXY_C22367154.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HUF76609D3S-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie für geringen Einschaltwiderstand.