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HUMH9NTN KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HUMH9NTN product

HUMH9NTN

Transistors - Bipolar (BJT) - Pre-Biased

Dual-TransistorDigitaltransistorSOT-363

Der HUMH9NTN ist ein dualer NPN-vorwiderstandsbestückter Digitaltransistor im kompakten SOT-363-Gehäuse, ideal für platzsparende Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltkreise
  • Signalaufbereitung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 150mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

Vcc
50 V
Ic (Spitze)
100 mA
R1
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

35ce9313bea54fce37f50551e51cc111_2406111705_HXY-MOSFET-HUMH9NTN_C22461935.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HUMH9NTN laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales Digitaltransistor-Gehäuse mit zwei unabhängigen DTC114Y-Chips, das zur Reduzierung von Platzbedarf und Montagekosten entwickelt wurde.