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HXY100P03NF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY100P03NF product

HXY100P03NF

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrench-Technologie

Der HXY100P03NF ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für Hochstromschaltungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Designs mit extrem begrenztem Platz, bei denen DFN5X6 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Pegel der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-100 A
RDS(on)
4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

44dcab6350b8de31799d3c19f9f386be_2212160808_HXY-MOSFET-HXY100P03NF_C3033448.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY100P03NF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet, um einen niedrigen RDS(on) und effizientes Schaltverhalten zu bieten.