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HXY120N03NF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY120N03NF product

HXY120N03NF

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VLeistung

Der HXY120N03NF ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal-MOSFET, der für effiziente Schaltanwendungen wie Batterieschutz und Lastschalter optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
90 A
RDS(ON)
< 3.0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

e783197da31da03d6c8f630712f7c03b_2212160808_HXY-MOSFET-HXY120N03NF_C3033447.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY120N03NF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für effizientes Schalten ausgelegt ist.