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HXY150N03NF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY150N03NF product

HXY150N03NF

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V150ADFN5X6

Der HXY150N03NF ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen wie Batteriemanagement und USV.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V
  • Platzkritische Designs, bei denen DFN5X6 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Treiber-Spannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
150 A
RDS(ON)
2,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

fcc703b14e27b99657ad95ad4e9929c7_2212160808_HXY-MOSFET-HXY150N03NF_C3033445.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY150N03NF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffiziente Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 30V und einem Nennstrom von 150A.