ProjektePreiseInsights

HXY20N10D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY20N10D product

HXY20N10D

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der HXY20N10D ist ein 100V, 20A N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Lastmanagementanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern
  • Hochfrequenzanwendungen, bei denen die Gate-Ladung (Qg=26,2nC) zu hoch sein könnte

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kühlung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
20 A
RDS(on)
87 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

dbce2ff48fe79a6ef2ccc08336c017a6_2212160808_HXY-MOSFET-HXY20N10D_C3033434.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY20N10D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HXY20N10D ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für 100V und 20A ausgelegt ist.