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HXY20P06DF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY20P06DF product

HXY20P06DF

MOSFETs - Single

MOSFETP-Kanal60V

Der HXY20P06DF ist ein P-Kanal-MOSFET mit -60V und -20A im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Spannung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-20 A
RDS(on)
65 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

9489cbe7a8fce7c712219a3eb0f82dd5_2206222045_HXY-MOSFET-HXY20P06DF_C3033449.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY20P06DF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.