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HXY2102EI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY2102EI product

HXY2102EI

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VSOT-323

Der HXY2102EI ist ein kompakter 20V N-Kanal-MOSFET, der für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriebetriebene tragbare Geräte
  • Niederspannungs-Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V
  • Hochstromanwendungen mit hohem Kühlbedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen des SOT-323-Gehäuses

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
2 A
RDS(on) @ 4.5V
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

79c5b86657799aa11dbb37a260de19b7_2209061730_HXY-MOSFET-HXY2102EI_C5148642.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY2102EI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, der in einem SOT-323-Gehäuse untergebracht ist.