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HXY2310AI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY2310AI product

HXY2310AI

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2360V

Der HXY2310AI ist ein 60V, 3A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Anwendungen mit niedriger Gate-Ansteuerspannung wie Batterieschutz und Lastschaltung optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Kleiner Lastschalter
  • Niederspannungs-Leistungssteuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 3A Dauerstrom
  • Hochtemperaturumgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
3 A
RDS(ON)
85 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschaltung

Datenblatt

2836dad52f6d48f39043566683c46672_2212160808_HXY-MOSFET-HXY2310AI_C3033388.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY2310AI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HXY2310AI ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HXY MOSFET, der für effizientes Schalten in kompakten Anwendungen entwickelt wurde.