ProjektePreiseInsights

HXY3012GD KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY3012GD product

HXY3012GD

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalN-KanalP-Kanal

Der HXY3012GD ist ein dualer N+P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im TO-252-4L-Gehäuse, der für Schaltanwendungen wie Batterieschutz und Motorsteuerung entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Kabelloses Laden
  • Bürstenlose Motortreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem hohe Leistungsdichte erfordern, die die thermischen Grenzen des TO-252-4L-Gehäuses überschreiten.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
30V / -30V
ID
20A / -20A
RDS(on)
<24mΩ / <40mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungEnergieverwaltung

Datenblatt

1f6241d5e16eee15ab79bd3ac49ce09d_2212160808_HXY-MOSFET-HXY3012GD_C3033441.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY3012GD laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N+P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für Batterieschutz- und Schaltanwendungen geeignet ist.