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HXY302DF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY302DF product

HXY302DF

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal30VBatterieschutz

Der HXY302DF ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im DFN3X3B-8L-Gehäuse, optimiert für 30V-Batterieschutz- und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Lithium-Batterieschutz
  • Schnellladeschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,5W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Leiterplattenlayout

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
30 A
RDS(ON)
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzSchnellladen

Datenblatt

d9f4e6796718a69e9011c9248dea72a1_2407151448_HXY-MOSFET-HXY302DF_C5148653.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY302DF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effizientes Schalten und Batterieschutz entwickelt wurde.