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HXY304DF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY304DF product

HXY304DF

MOSFETs

MOSFETDual N-Kanal30V

Der HXY304DF ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im DFN3X3B-8L-Gehäuse, der für 30V-Batterieschutz- und Schnellladeschaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lithium-Batterieschutz
  • Schnellladen von Mobiltelefonen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
24 A
RDS(ON)
< 18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

306f4b561996ad5be73e2dbf8de7a4e3_2407151448_HXY-MOSFET-HXY304DF_C3033454.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY304DF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.