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HXY30N03DF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY30N03DF product

HXY30N03DF

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VDFN3X3-8L

Der HXY30N03DF ist ein 30V, 30A N-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
30 A
RDS(ON)
13 mΩ
Gehäuse
DFN3X3-8L

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

ca1519d8b862a9f7abc96e12b3e50d3b_2206222045_HXY-MOSFET-HXY30N03DF_C3033461.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY30N03DF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffiziente Schaltanwendungen mit niedrigem Einschaltwiderstand.