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HXY30N06DF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY30N06DF product

HXY30N06DF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VDFN3X3-8L

Der HXY30N06DF ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, der für Anwendungen mit niedriger Gate-Ansteuerspannung wie Batterieschutz und Lastschaltung optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem hohe Zuverlässigkeit erfordern (z.B. Lebenserhaltungssysteme)

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
15 A
RDS(on)
40 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

0b2ace2b06069529bb27f8e96454b0bf_2312281724_HXY-MOSFET-HXY30N06DF_C3033462.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY30N06DF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60V und einem Dauerstrom von 15A.