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HXY30N10D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY30N10D product

HXY30N10D

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100V30A

Der HXY30N10D ist ein 100V, 30A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen wie Batterieschutz und Lastschalter.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem hohen Zuverlässigkeitsanforderungen oder lebenserhaltende Systeme

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
30 A
RDS(on)
43 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

a94ca6bf3b02840a97f04eea04fa2b80_2212161630_HXY-MOSFET-HXY30N10D_C5148652.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY30N10D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET in Enhancement-Mode-Technologie mit Trench-Struktur, ausgelegt für 100V und 30A.