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HXY3407AI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY3407AI product

HXY3407AI

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23

Der HXY3407AI ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.1 A
RDS(on)
< 56 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY3407AI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.