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HXY40P03D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY40P03D product

HXY40P03D

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrench-Technologie

Der HXY40P03D ist ein -30V, -40A P-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die High-Side-Schaltung mit komplexen Gate-Anforderungen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-40 A
RDS(on)
< 23 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY40P03D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für effizientes Schalten ausgelegt ist.